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（一） 电容降压式稳压电源

   电容降压式稳压电源输出电流较小,但他不用变压器所以体积小,成本低,适用于耗电小的电子设备,原理图见(1-1)
如果桥式整流电路的输入交流电压为Vi输出直流电压为Vo,输出电流为Iz 则降压电容容抗近似为c≈[Vi-Va]/Iz=[220-Va]/Iz (Ω) ,而电容值为:C1=106/2πfXc=106/314Xc (uf),如果稳压管采用输出Vn=6v稳定电压时的稳定电流Ix=10mA最大稳定电流Izm=38mA,则输出电流允许变化范围为Io=0-28mA,为减少纹波系数和限流电阻上的功耗,R3取200Ω,则
Vo=Vn+R3Izm=6+200*0.038=13.6V,而当滤波电容足够大时,桥式整流输出直流电压约为交流最大值的0.9,因此Vi=Vo/0.9√2≈11V；Xc=[220-11]/0.038=5500Ω;
C1=106/314*5500=0.579uf,如果要求不是非常严格的话我们一般取近似的标称值,那麽C1=0.56uf。电路中的、C1耐压应大于300V，氖管N用来检查火线。

第五章  半导体三极管及其应用

5．1半导体三极管的基本结构

5．1．1 三极管内部结构

ATH o:extrusionok="f" gradientshapeok="t" o:connecttype="rect">ATH>OCK v:ext="edit" aspectratio="t">OCK>半导体二极管内部只有一个PN结，若在半导体二极管P型半导体的旁边，再加上一块N型半导体如图5-1（a）所示。由图5-1（a）可见，这种结构的器件内部有两个PN结，且N型半导体和P型半导体交错排列形成三个区，分别称为发射区，基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极，基极和集电极，用符号e、b、c来表示。处在发射区和基区交界处的PN结称为发射结；处在基区和集电区交界处的PN结称为集电结。具有这种结构特性的器件称为三极管。

三极管通常也称双极型晶体管（BJT），简称晶体管或三极管。三极管在电路中常用字母T来表示。因三极管内部的两个PN结相互影响，使三极管呈现出单个PN结所没有的电流放大的功能，开拓了PN结应用的新领域，促进了电子技术的发展。

因图5-1（a）所示三极管的三个区分别由NPN型半导体材料组成，所以，这种结构的三极管称为NPN型三极管，图5-1（b）是NPN型三极管的符号，符号中箭头的指向表示发射结处在正向偏置时电流的流向。

根据同样的原理，也可以组成PNP型三极管，图5-2（a）、（b）分别为PNP型三极管的内部结构和符号。

由图5-1和图5-2可见，两种类型三极管符号的差别仅在发射结箭头的方向上，理解箭头的指向是代表发射结处在正向偏置时电流的流向，有利于记忆NPN和PNP型三极管的符号，同时还可根据箭头的方向来判别三极管的类型。

例如，当大家看到“le=""> le=""> ”符号时，因为该符号的箭头是由基极指向发射极的，说明当发射结处在正向偏置时，电流是由基极流向发射极。根据前面所讨论的内容已知，当PN结处在正向偏置时，电流是由P型半导体流向N型半导体，由此可得，该三极管的基区是P型半导体，其它的两个区都是N型半导体，所以该三极管为NPN型三极管。

晶体管除了PNP和NPN两种类别的区分外，还有很多种类。根据三极管工作频率的不同，可将三极管分为低频管和高频管；根据三极管消耗功率的不同，可将三极管分为小功率管、中功率管和大功率管等。常见三极管的外形如图5-3所示。

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图5-3（a）和图5-3（b）都是小功率管，图5-3（c）为中功率管，图5-3（d）为大功率管。

5．1．2 三极管的电流放大作用

1、三极管内部PN结的结构

对模拟信号进行处理最基本的形式是放大。在生产实践和科学实验中，从传感器获得的模拟信号通常都很微弱，只有经过放大后才能进一步处理，或者使之具有足够的能量来驱动执行机构，完成特定的工作。放大电路的核心器件是三极管，三极管的电流放大作用与三极管内部PN的特殊结构有关。

从图5-1和5-2可见，三极管犹如两个反向串联的PN结，如果孤立地看待这两个反向串联的PN结，或将两个普通二极管串联起来组成三极管，是不可能具有电流的放大作用。具有电流放大作用的三极管，PN结内部结构的特殊性是：

（1）为了便于发射结发射电子，发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度，且发射结的面积较小。

（2）发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体，但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度，且集电结的面积要比发射结的面积大，便于收集电子。

（3）联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄，且掺杂溶度也很低。

上述的结构特点是三极管具有电流放大作用的内因。要使三极管具有电流的放大作用，除了三极管的内因外，还要有外部条件。三极管的发射极为正向偏置，集电结为反向偏置是三极管具有电流放大作用的外部条件。

放大器是一个有输入和输出端口的四端网络，要将三极管的三个引脚接成四端网络的电路，必须将三极管的一个脚当公共脚。取发射极当公共脚的放大器称为共发射极放大器，基本共发射极放大器的电路如图5-4所示。

图5-4中的基极和发射极为输入端，集电极和发射极为输出端，发射极是该电路输入和输出的公共端，所以，该电路称为共发射极电路。

图5-4中的u_i是要放大的输入信号，u_o是放大以后的输出信号，V_BB是基极电源，该电源的作用是使三极管的发射结处在正向偏置的状态，V_CC是集电极电源，该电源的作用是使三极管的集电结处在反向偏置的状态，R_C是集电极电阻。

2、共发射极电路三极管内部载流子的运动情况

共发射极电路三极管内部载流子运动情况的示意图如图5-5所示。图5-5中载流子的运动规律可分为以下的几个过程。

（1）发射区向基区发射电子的过程

发射结处在正向偏置，使发射区的多数载流子（自由电子）不断的通过发射结扩散到基区，即向基区发射电子。与此同时，基区的空穴也会扩散到发射区，由于两者掺杂溶度上的悬殊，形成发射极电流I_E的载流子主要是电子，电流的方向与电子流的方向相反。发射区所发射的电子由电源E_C的负极来补充。

（2）电子在基区中的扩散与复合的过程

扩散到基区的电子，将有一小部分与基区的空穴复合，同时基极电源E_B不断的向基区提供空穴，形成基极电流I_B。由于基区掺杂的溶度很低，且很薄，在基区与空穴复合的电子很少，所以，基极电流I_B也很小。扩散到基区的电子除了被基区复合掉的一小部分外，大量的电子将在惯性的作用下继续向集电结扩散。

（3）集电结收集电子的过程

反向偏置的集电结在阻碍集电区向基区扩散电子的同时，空间电荷区将向基区延伸，因集电结的面积很大，延伸进基区的空间电荷区使基区的厚度进一步变薄，使发射极扩散来的电子更容易在惯性的作用下进入空间电荷区。集电结的空间电荷区，可将发射区扩散进空间电荷区的电子迅速推向集电极，相当于被集电极收集。集电极收集到的电子由集电极电源E_c吸收，形成集电极电流I_C。

3、三极管的电流分配关系和电流放大系数

根据上面的分析和节点电流定律可得，三极管三个电极的电流I_E、I_B、I_C之间的关系为：I_E=I_B+I_C                                                                    （5-1）三极管的特殊结构使I_C大大于I_B，令le="">                                                                                                                                   （5-2）le=""> 称为三极管的直流电流放大倍数。它是描述三极管基极电流对集电极电流控制能力大小的物理量， 大的管子，基极电流对集电极电流控制的能力就大。 是由晶体管的结构来决定的，一个管子做成以后，该管子的 就确定了。

5．1．3 三极管的共射特性线                                                                                                    三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线，它们是三极管内部载流子运动规律在管子外部的表现。三极管的特性曲线反映了管子的技术性能，是分析放大电路技术指标的重要依据。三极管特性曲线可在晶体管图示仪上直观地显示出来，也可从手册上查到某一型号三极管的典型曲线。

三极管共发射极放大电路的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线，下面以NPN型三极管为例，来讨论三极管共射电路的特性曲线。

1、输入特性曲线 输入特性曲线是描述三极管在管压降U_CE保持不变的前提下，基极电流i_B和发射结压降u_BE之间的函数关系，即le="">         （5-3）三极管的输入特性曲线如图5-6所示。由图5-6可见NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是：

（1）在输入特性曲线上也有一个开启电压，在开启电压内，u_BE虽己大于零，但i_B几乎仍为零，只有当u_BE的值大于开启电压后，i_B的值与二极管一样随u_BE的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V，发射结导通电压V_on约为0.6～0.7V；锗晶体管的开启电压约为0.2V，发射结导通电压约为0.2～0.3V。

（2）三条曲线分别为U_CE=0V，U_CE=0.5V和U_CE=1V的情况。当U_CE=0V时，相当于集电极和发射极短路，即集电结和发射结并联，输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。当U_CE=1V，集电结已处在反向偏置，管子工作在放大区，集电极收集基区扩散过来的电子，使在相同u_BE值的情况下，流向基极的电流i_B减小，输入特性随着U_CE的增大而右移。当U_CE>1V以后，输入特性几乎与U_CE=1V时的特性曲线重合，这是因为Vcc＞lV后，集电极已将发射区发射过来的电子几乎全部收集走，对基区电子与空穴的复合影响不大，i_B的改变也不明显。因晶体管工作在放大状态时，集电结要反偏，U_CE必须大于l伏，所以，只要给出U_CE=1V时的输入特性就可以了。

2、输出特性曲线

输出特性曲线是描述三极管在输入电流i_B保持不变的前提下，集电极电流i_C和管压降u_CE之间的函数关系，即

le="">         （5-4）

三极管的输出特性曲线如图5-7所示。由图5-7可见，当I_B改变时，i_C和u_CE的关系是一组平行的曲线族，并有截止、放大、饱和三个工作区。

（1）截止区

I_B=0持性曲线以下的区域称为截止区。此时晶体管的集电结处于反偏，发射结电压u_BE＜0，也是处于反偏的状态。由于i_B＝0，在反向饱和电流可忽略的前提下，i_C=βi_B也等于0，晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管，发射极和集电结都是反偏，在电路中犹如一个断开的开关。

实际的情况是：处在截止状态下的三极管集电极有很小的电流I_CE0，该电流称为三极管的穿透电流，它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流，不受i_B的控制，但受温度的影响。