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lf2407的调试经验


  1. 在FLASH中调试, FLASH中调试只可以设置一个断点, 执行速度并不慢, 只是烧录慢而且很麻烦, 建议只作为最终产品的少量调试用, 平时还是用外接RAM做调试.

  2. 在RAM中调试. 有两种外接方法: 

     一是将RAM接在8000h-0ffffh处, 此时应在0-3fh处烧入跳转到8000h-803fH的指令, 将CMD文件中的中断向量区定在8000h-803fh处即可.

     二是利用MP/MC脚加入跳线器, 调试时关闭内部FLASH,而将外部RAM设在0-7fffh处.
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在外括RAM的情况下,如果不关闭FLASH,是不是外部的RAM就自动定位在8000H(这应是内部SARAM的位置)处,还是接在内部的SARAM的后面,有或是还需要什么特殊的设置吗?
程序调试好以后,烧入FLASH中去,运行时设好MP/MC跳线,BOOT LOADER是自动的将程序调入外部的RAM中执行的吗?
这个时序是如何的哪?

外部的RAM的地址要看你自己的地址译码逻辑, 内部地址优先
程序直接在FLASH中执行, 有FLASH的芯片无需使用BOOT LOADER
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硬件电路完成后,编写小的程序烧写,不知什么原因,一直不能写入,经测试JTAG接口联接完全正确,烧写程序下载TI网站相应软件、仿真器使用XDS510(ISA). 

用BTEST测试是否通过?
烧录程序的晶振频率是否调整过?
是否按CLEAR, ERASE, PROGRAM的顺序来烧录的?
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LF2407 JTAG 硬件电路测试正确、采用闻亭XD510仿真器烧写
2407FLASH,布置为什么,提示烧写正确,但通过示波器观测相应CLOCKOUT管脚(定义为时钟输出脚),却没有输出,分析其原因,程序没有写入,为什么?

你用仿真器直接调试烧写的程序, 很容易查出问题.
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